第三代半导体材料是指具有宽带隙（Eg≥2.3eV）的材料，代表包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石和氮化铝（AlN）。这些材料在 ...

化合物及第三代半导体：氮化(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(Zno)金刚石、晶圆、衬底与外延、功率器件、IGBT封装材料、射频器件及加工设备等； 功率 ...

基于低维半导体材料的晶体管如何进行电子输运？能否控制其中的一个或几个电子的传输？近期，研究者从单根掺杂铟的ZnO纳米带晶体管中获得了库 ...