提及ASML的EUV光刻机，首先从技术层面看，其技术的核心在于利用13.5纳米波长的极紫外光，通过激光驱动等离子体（Laser-Produced Plasma, LPP）生成光源 ...

深积淀与高壁垒，ASML缘何在EUV一枝独秀？ 提及ASML的EUV光刻机，首先从技术层面看，其技术的核心在于利用13.5纳米波长的极紫外光，通过激光驱动等离子体（Laser-Produced Plasma， LPP）生成光源，将复杂电路图案投影到硅晶圆上。 这一过程涉及每秒向真空室喷射5万 ...

"Ein solcher Schwingungssensor besteht aus zwei Kernkomponenten: einem beweglichen Resonator und einem Laser, der die Bewegung des Resonators ausliest", erklärt ... Weiterhin wird ein spezielles, ...

Bei der EUV-Lithographie kommt extrem ultraviolettes Licht mit einer Wellenlänge von 13,5 Nanometern zum Einsatz, um die feinen Strukturen auf den Wafer abzubilden. Peter Kürz von Zeiss SMT erläutert ...

2023年末，三星与ASML签署了一项价值1万亿韩元的协议，双方将在韩国京畿道东滩投资建设半导体芯片研究设施，共同努力改进EUV光刻制造技术 ...

Auch andere Wellenlängen fallen in diesen Bereich des Spektrums, etwa Argon-Plasma-Laserquellen ... ASMLs EUV-Belichter Twinscan NXE:3400 von innen. Ein Laser beschießt Plasmatropfen, um ...

High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...

近年来，国产光刻机技术的迅速发展引起了全球半导体行业的关注。尤其是EUV（极紫外光）光刻机的研发进展，成为众多专业媒体和行业专家讨论的热点。国产EUV光刻机的技术突破不仅意味着国产半导体设备的成熟，也在全球半导体市场上占据了一席之地。