在这场技术竞赛中，荷兰的ASML凭借其极紫外光（EUV）光刻技术占据了无可争议的霸主地位。不过，近日，国内外媒体及网络接连曝出佳能通过纳米 ...

High NA EUV突破：英特尔季产3万片，imec 20nm良率90%，美光首用DRAM。 EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要 ...

本文来自微信公众号：半导体行业观察 （ID：icbank），作者：杜芹DQ， EUV技术自从其提出以来，面临着多重挑战，包括高成本、复杂的光学系统以及需要在高精度下制造光罩等。然而，随着技术不断成熟，EUV逐渐突破了制程限制，尤其在10nm及以下的制程中展现出 ...

近年来，国产光刻机技术的迅速发展引起了全球半导体行业的关注。尤其是EUV（极紫外光）光刻机的研发进展，成为众多专业媒体和行业专家讨论的热点。国产EUV光刻机的技术突破不仅意味着国产半导体设备的成熟，也在全球半导体市场上占据了一席之地。

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世以来，设备迭代、掩模生成和光刻胶技术的持续改进已使该技术趋于稳定。尽管良率持续提升，但与成熟度更高的深 ...

然而，这类芯片的制造高度依赖极紫外（EUV）光刻技术，该技术本身的规模化瓶颈已成为制约行业发展的关键障碍。 自2019年首批商用EUV芯片问世 ...

但制造这些芯片严重依赖极紫外 (EUV) 光刻技术，这已成为扩大生产的最大障碍之一。自 2019 年首批商用 EUV 芯片下线以来，设备、掩模生成和光刻胶 ...