一、电子束曝光技术光刻是广泛应用的芯片加工技术之一，下图是常见的半导体加工工艺流程：光刻广泛应用于芯片加工，但是其分辨率会受到光波长的限制｡电子束曝光( ElectronBeam Lithography, EBL) 是光刻技术的延伸应用｡ ...

其次，技术封锁也是阻碍我国光刻机发展的重要因素。EUV光刻机的核心技术最初由美国研发，但美国并未选择自己生产，而是将相关技术转让给了ASML。ASML在获得技术支持后，迅速崛起，并凭借强大的专利布局和供应链垄断，稳固了自己的市场地位。一台EUV光刻机 ...

值得注意的是，芯片制造设备与生产工艺之间存在着紧密的对应关系，设备的精度直接决定了所生产芯片的精度。例如，光刻机和刻蚀机等关键设备，都是针对特定纳米级别的芯片进行设计的，如14nm、28nm、10nm乃至5nm，而非一种设备就能通吃所有工艺。

据介绍，xLight开发了一种EUV光源，其功率是当今最先进光源的四倍。借助xLight的技术，晶圆厂可以优化图案化工艺、提高生产率和良率，从而创造数十亿美元的额外年收入。xLight的系统还将使每片晶圆的成本降低约50%，并将资本和运营支出降低三倍 ...

不依赖EUV光刻机！我国科学家突破芯片研制极限 ...

英特尔被迫在这方面进行创新，并尽可能地实现并行化。 工艺部分包括光刻胶，英特尔同时使用了LowNA NXE系统和伯克利的微场曝光工具来表征和筛选 ...

近日，全球领先的半导体制造设备供应商ASML推出的Twinscan EXE:5000 EUV光刻机，凭借其High-NA（高孔径）技术，成为了当前半导体制造领域中最耀眼的明星。

这一高标准主要源于光刻工艺对缺陷率的严苛要求，任何微小的尘埃颗粒都可能对芯片的性能和良品率造成重大影响。合洁科技电子净化工程公司将详细探讨光刻机洁净车间所需的洁净度级别 ...

目前半导体制造工艺节点缩小至5nm及以下，曝光波长逐渐缩短至13.5nm，光刻技术逐步完善成熟，但是国内光刻机仍明显落后于海外。同时，美国对中国先进制程设备和技术围追堵截，光刻机处于 ...

这些光刻设备能够实现8纳米的分辨率，相较当前0.33 NA EUV系统大幅提高了图形精度，具备更高的工艺集成密度潜力。 英特尔高级工程师史蒂夫·卡森 ...

3月27日，光刻机板块表现活跃，截至收盘，板块涨幅超4%，个股方面，新莱应材、海立股份等多股涨停。 芯片技术是信息时代的关键核心技术，它 ...

每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。根据前瞻研究院数据，光刻机由光源、曝光和双工作台三大核心系统组成，一台EUV ...