据介绍，xLight开发了一种EUV光源，其功率是当今最先进光源的四倍。借助xLight的技术，晶圆厂可以优化图案化工艺、提高生产率和良率，从而创造数十亿美元的额外年收入。xLight的系统还将使每片晶圆的成本降低约50%，并将资本和运营支出降低三倍 ...

不依赖EUV光刻机！我国科学家突破芯片研制极限 改变游戏规则！当ASML首席执行官温宁克还在宣称中国不可能独立造出顶级光刻机时，中国科学家用颠覆性创新给出了最有力的回应。复旦大学周鹏教授带领的科研团队成功突破二维半导体电子学集成度的技术瓶颈 ...

IT之家3 月 29 日消息，英特尔新任 CEO 陈立武在公司 2024 年年报致辞中表示，基于 Intel 18A 制程的早期外部客户项目设计已进入最终阶段，预计今年年中完成首次流片。 他表示，将于今年晚些时候在亚利桑那州新晶圆厂启动 Intel 18A 的量产，首批产品包括 Panther Lake ...

与此同时，提出的方法具有非常广泛的应用范围，特别是在短波测量领域，例如以EUV和x射线作为测量光源等。 [1] Lin N, Chen Y, Wei X, Yang W, Leng Y. Spectral purity systems applied for laser-produced plasma extreme ultraviolet lithography sources: a ...

日前，久日新材在投资者互动平台表示，公司正在进行KrF、ArF、EUV光刻胶所需原材料光致产酸剂产品的开发。 日前，美国再次将多家中国科技公司 ...

这场逆袭不仅撕碎了外界的嘲讽，更让全球半导体行业意识到：中国正用自主创新的钥匙，缓缓关闭EUV光刻机垄断的大门。 光刻机的核心在于光源技术。ASML的DUV光刻机依赖氟化氙准分子激光，通过复杂的气体混合生成193nm波长的紫外光。然而，这项技术被2万多 ...

从UV到EUV，光刻机经历了五代发展和进化，每次光源的改进都显著提升了光刻机所能实现的最小工艺节点。根据前瞻研究院数据，光刻机由光源 ...

相比传统光源，全固态光源具有体积小、效率高、寿命长、可控性好等特点，更适合工业化和精密应用。 Intel宣布，ASML首批两台高数值孔径（High-NA EUV）极紫光刻机已经在其工厂投入生产。据悉，Intel利用先进光刻机已在一季内生产3万片晶圆，这些晶圆可以产出 ...

早前，富凯曾表示，由于美国对华禁止出口EUV光刻设备，与英特尔、台积电和三星等行业巨头相比，中国芯片技术将落后美国等西方国家10年至15年，主要还是因为美国禁止出口EUV设备，导致中国无法获得尖端光刻机。这… 曾被贴上“6倍大妖股”、“减持收割机 ...

快科技3月25日消息，据悉，中国科学院成功研发除了突破性的固态DUV(深紫外)激光，可发射193nm的相干光，与目前主流的DUV曝光波长一致，能将半导体 ...

Ni4esmc 然而，在光刻机领域，与国际领先高端制程技术相比，中国仍存在差距。以极紫外光刻(EUV)技术为例，中国在光源功率、光刻精度、量产稳定性等方面面临技术瓶颈。目前，全球仅有荷兰ASML公司能够生产先进的EUV光刻机，其光刻精度可达到纳米级甚至亚 ...

在两厂的共同贡献下，预计到2025年底，台积电2nm工艺的总月产能将突破5万片晶圆。iYBesmc 为了满足2nm的量产需求，台积电也加大了对ASML的EUV光刻机的采购力度，在2024年就订购了30台，并且计划在2025年再订购35台，其中还包括ASML最新推出的High-NA EUV光刻机 ...