异质异构Chiplet正成为后摩尔时代AI海量数据处理的重要技术路线之一,正引起整个半导体行业的广泛关注,但这种方法要真正实现商业化,仍有赖于通用标准协议、3D建模技术和方法等。然而,以拓展摩尔定律为标注的模拟类比芯片技术,在非尺寸依赖追求应用多样性 ...
据知情人士透露,全球领先的CMOS图像传感器(CIS)供应商思特威,近期大量招募AI芯片人才,开始孵化、进军端侧AI芯片业务。 当前,思特威的核心产品CMOS图像传感器已深度嵌入安防监控、智能手机、汽车电子、工业视觉等领域。
铠侠(Kioxia)和闪迪(Sandisk)合作,在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比,新款3D NAND闪存的性能提高了33%,位密度、接口速率和功率效率也有所提高。据TomsHardware报道,BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,将每个CMOS晶圆和单 ...
在2025年国际固态电路会议(ISSCC)上,铠侠联合闪迪推出了其令人瞩目的第十代3D NAND闪存技术,这一新技术的速度提升达到了惊人的33%。不仅如此,新型闪存在比特密度、接口速度及能效方面也展现出了显著的进步。
据韩媒etnews报道,SK海力士CEO郭鲁正近日在接受采访时表示,中国初创公司DeepSeek的生成人工智能模型将对半导体行业产生长期积极影响。“现在谈论具体产品并不合适,短期内可能会有起伏,但最终会在AI的普及中发挥巨大作用”。
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来自MSN铠侠与闪迪发布下一代3D闪存技术,实现4.8Gb/s NAND接口速度铠侠株式会社与闪迪公司联合发布一项尖端3D闪存技术,凭借4.8Gb/s NAND接口速度、卓越的能效以及更高的位密度,树立了行业新标准。两家公司在2025年国际固态电路会议上展示了这项3D闪存创新技术,它与公司突破性的CB ...
据悉,这一突破性解决方案的核心在于采用了最新的Toggle DDR ...
春节前两天的1月26日,国产CIS( CMOS图像传感器 )公司思特威发布2024年年度业绩预告,预计2024年度实现营业收入58亿元~61亿元,同比增长103%~113%;预计归属于母公司所有者的净利润3.71亿元-4.17亿元,同比增长2512% ...
铠侠和闪迪还展望第九代和第十代 3D 闪存产品,第九代产品利用 CBA 技术融合现有存储单元技术和新 CMOS 技术,实现高性价比。第十代产品将进一步提升容量、速度和功耗表现,满足未来数据中心和 AI 应用需求。 IT之家注:CBA 技术是指结合 CMOS 创新与成熟的 ...
铠侠和闪迪联合预览了更快的 218 层 3D NAND 技术,具有更高的接口速度和更好的能效。他们还透露了即将推出的 332 层技术。这些进展将大幅提升存储性能和容量,以满足人工智能等新兴应用对数据存储的巨大需求。新技术采用创新的 NAND ...
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