单向可控硅的电流是从阳极流向阴极，交流电过零点时截止，如图交流电的负半周时，单向可控硅是不导通的，在正半周时，只有控制栅极有触发信号时，可控硅才导通。

进一步分析可知，爱思开海力士的存储器技术在当前市场中具有明显的竞争优势。与其他同类产品相比，该存储装置在提高性能和降低能耗方面表现突出，显示了其在先进制造工艺和材料应用上的深厚积累。这种技术进步将帮助品牌在激烈的市场竞争中脱颖而出，同时满足用户对高性能、高可靠性的追求。

这项新技术将如何改变我们的日常生活？当美光科技申请了一项新的专利，涉及包含二维材料的晶体管时，这个问题变得尤为引人关注。2025年4月11日，国家知识产权局公开了这项编号为CN119789426A的专利，它不仅揭示了未来电子设备可能拥有的新能力，还预示着半导体行业的一次潜在革命。

栅极钳位也不适合用于每个周期的正常开关过程。钳位时，驱动级电流会有一部分注入钳位二极管，这会造成驱动负载不必要的增加。所以在选择器件时，应保证其V RWM （最大反向工作电压）不低于且尽可能接近于被保护线路的正常最大工作电压，比如说15V。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项实用新型专利授权，专利名为“显示面板和显示装置”，专利申请号为CN202421453890.7，授权日为2025年4月8日。

总的来说，MOSFET是一种重要、基础和功能强大的电子元件，其结构简单、性能优越、应用广泛，已经成为各种电子设备中不可或缺的组成部分。随着科技的发展，MOSFET技术不断进步，尤其是在集成度、功耗和工作频率等方面，进一步推动了电子技术的创新和发展。

金融界2025年4月3日消息，国家知识产权局信息显示，湖南科霸汽车动力电池有限责任公司取得一项名为“一种栅极交错驱动MOS管冗余双预充电路”的专利，授权公告号 CN 222706267 U，申请日期为2024年3月。 专利摘要显示，本实用新型提供了一种栅极交错驱动MOS管冗余双预充电路，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极相连接，MOS管Q1的漏极与MOS管Q2的源极之间取任意点A，MOS管Q3 ...

快科技3月30日消息，近日， 黄仁勋 在 GTC 2025 大会访谈中表示， 依靠环绕栅极（GAA）晶体管的下一代制程技术，将为新一代GPU带来20%的性能提升。

最近，在GTC 2025大会上，黄仁勋在接受采访时提到，下一代采用环绕栅极（GAA）晶体管的制程技术，会让新一代的GPU性能提升大约20%。 有消息指出，在回答问题的时候，黄仁勋好像有意弱化了制程节点变化的作用，他特别提到摩尔定律变慢这件事。他说，这意味着以后的新制程技术，在密度、功耗或者能效上的进步空间会比较小，预计性能提升也就20%左右吧。

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示芯联集成（688469）新获得一项发明专利授权，专利名为“半导体器件的版图结构”，专利申请号为CN202210556009.5，授权日为2025年3月25日。 专利摘要：本发明提供了一种半导体器件的版图结构，包括有源区及栅极区，所述栅极区沿第一方向穿过所述有源区，并将所述有源区分为沿第二方向排布在所述栅极区两侧的源区和漏区，当向所述栅极区施加电压时，电场线的方 ...

半导体芯片制程技术的创新突破，是包括英特尔在内的所有芯片制造商们在未来能否立足AI和高性能计算时代的根本。年内即将亮相的 Intel 18A，不仅是为此而生的关键制程技术突破，同时还肩负着让英特尔重回技术创新最前沿的使命。

背面供电搭配全环绕栅极，英特尔打造芯片制造“新星组合”,英特尔,芯片,晶体管,栅极,半导体 ...