UCC27524 器件是一款双通道、高速、低侧栅极驱动器器件，能够有效驱动 MOSFET 和 IGBT 开关管。为了增加稳定耐用性，UCC27524 在输入引脚上增加了直接处理 -5V 电压的能力。UCC27524 是一款双通道同相驱动器。使用能够从内部大大降低击穿电流的设计，UCC27524 能够将 ...

2025年4月1日，国家知识产权局发布了一项重要信息，美光科技公司获得了一项名为“存储器子系统中的选择栅极维护”的专利。授权公告号为CN113096712B，申请日期是2020年12月。这项专利的取得标志着美光科技在存储器技术领域取得了重大突破。

在大功率半导体模块的驱动应用中，我们使用上述方法便可轻易得到一组具有对称隔离输出的电压，如±15V，但是在大多数中小功率工业应用中不需要-15V电源，使用不对称的隔离电源电压，如15/-7.5V,15/-5V,18/-5V等等就可以了。若是15/-7 ...

4 月 2 日，二维半导体芯片迎来里程碑式进展。复旦大学周鹏教授团队联合包文中研究员，造出全球首款基于二维半导体材料的 32 位 RISC-V 架构微处理器“无极（WUJI）”（下称“无极芯片”），首次实现 5900 ...

国产汽车模拟芯片设计公司纳芯微创始人、董事长、CEO王升杨日前在中国电动汽车百人会（2025）上表示，国产汽车模拟芯片行业正逐步完成从“跟跑”到“并跑”的转变。

Intel 18A工艺将全球首次同时采用PowerVia背面供电和RibbonFET栅极环绕（GAA）晶体管技术 ， 台积电则会在今年下半年2nm使用Nanosheet晶体管技术、2026年下半年导入超级电轨（Super Power ...

本周，2nm在各大网站强势刷屏。 台积电此前表示，2nm芯片将于4月1日起接受订单预订。随着时间逐渐来到4月，它终于犹抱琵琶半遮面，缓缓露出真容。 台积电、Intel、Rapidus等芯片巨头均在本周再度更新了2nm芯片的量产进展。

王升杨分析称：“这是一个产业发展阶段必然会发展的一个阶段性问题。这个产业在快速变革，在变革的过程中每个人都能看到未来的机会。所以大家更加积极地参与到这个市场竞争中来，试图通过一些更加积极的竞争策略获取未来的市场定位。我觉得这才是内卷最本质的原因。” ...

MP1916 是一款 MOSFET 驱动器，它能够以低栅极电压驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。 MP1916 是一款 MOSFET 驱动器，它能够以低栅极电压驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) MOSFET 和 N 沟道 MOSFET。该器件具有独立的上管 (HS ...

金融界2025年4月3日消息，国家知识产权局信息显示，昌辉汽车电气系统（安徽）有限公司取得一项名为“一种USB充电防反接短路电路”的专利，授权公告号CN 222706280 U，申请日期为2024年5月。

英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力，具体如下图： ...