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芯和半导体在DesignCon2025,全面升级从芯片到系统的全栈集成系统EDA平台
【天极网IT新闻频道】 芯和半导体科技 (上海)股份有限公司 ...
腾讯网
1 天
面向高性能计算应用的超导数字集成电路技术︱超导材料及其应用专栏
基于半导体集成电路的数字计算技术自20 ...
来自MSN
1 天
芯和半导体在DesignCon 2025上发布新品,全面升级“从芯片到系统”的 ...
芯和半导体科技(上海)股份有限公司(以下简称“芯和半导体”)在近日举办的DesignCon 2025大会上正式发布其重磅新品,包括下一代电子系统的全新3D多物理场仿真平台XEDS及面向系统设计的散热分析平台Boreas。与此同时,芯和半导体全面升级了其“从芯片到系统”的全栈集成系统EDA平台,以应对AI人工智能带来的大算力、高带宽、低功耗需求。
来自MSN
3 天
我国在太空成功验证第三代半导体材料制造的功率器件
每经AI快讯,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的驱动因素和重要保证。记者从中国科学院微电子研究所获悉,我国在太空成功验证了首款国产碳化硅(SiC)功率器件,第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。据中国科学院微电子 ...
3 天
EDA三巨头竞逐台积电AI设计流程
AI正稳步改变半导体行业,这一趋势在领先EDA公司和硅片代工厂表现得尤为突出。三大EDA工具制造商 (Cadence、Synopsys和西门子EDA)已宣布与台积电合作,致力于为先进芯片制造节点开发AI驱动的设计流程。本文将简要回顾这些合作的现状。
6 天
苏州华太新增GaN HEMT器件专利,推动半导体技术创新
2024年12月,苏州华太电子技术股份有限公司(简称“苏州华太”)申请了一项新专利,题为“一种GaN HEMT器件”,该专利在1月底正式公布,引起了半导体行业的广泛关注。这项技术的提出不仅展示了华太在氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件领域的创新能力,也为相关技术的发展注入了新的活力。 GaN HEMT器件的核心创新 根据专利摘要,华太的GaN HEMT器件采用了一种独特的结构设计, ...
6 天
成都鸿辰光子半导体:开创高内量子效率光电芯片新纪元
近日,成都鸿辰光子半导体科技有限公司在高内量子效率光电芯片领域迈出了重要一步。该公司于2024年10月申请了一项专利,名为“一种高内量子效率的光电芯片结构及其设计方法”,并在2025年1月31日获得国家知识产权局的公告。这一创新有望显著提高AlGaN ...
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