本研究针对射频磁控溅射(RF magnetron sputtering)制备SiC薄膜时沉积时间对性能的影响机制展开系统研究。通过调控30-120分钟溅射时间，发现60分钟样品具有最优光学性能（直接带隙3.12eV，Urbach能量640meV），90分钟出现载流子行为突变，120分钟薄膜展现最强光导响应。