去年年底听闻哈工大团队攻克13.5nm极紫外光源技术，原理、性能都比ASML有优势。本以为国产EUV光刻机突破还需一段时间，哪想短短不到三月，真机竟已进入最后测试阶段。

Intel将会使用High-NA EUV光刻机生产14A也就是1.4nm级工艺产品 ，但具体时间和产品未定，有可能在2026年左右量产，或许用于未来的Nova Lake、Razer Lake。

快科技3月13日消息，据韩国媒体报道，三星电子已于本月初在其华城园区引入首台ASML生产的High-NA EUV光刻机——EXE:5000，价值高达5000亿韩元（约合24.88亿元人民币）。 ASML是目前全球唯一能够提供此类设备的供应商，其通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2nm及以下制程的必备工具。 与现有EUV设备相比，High-N ...