2025年4月1日，国家知识产权局发布了一项重要信息，美光科技公司获得了一项名为“存储器子系统中的选择栅极维护”的专利。授权公告号为CN113096712B，申请日期是2020年12月。这项专利的取得标志着美光科技在存储器技术领域取得了重大突破。

以下是文档正文。 本文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。

2025年4月1日消息，美光科技公司近日获得了一项备受瞩目的专利，名称为“存储器子系统中的选择栅极维护”。该专利的申请日期为2020年12月，最近被国家知识产权局正式授权，公告号为CN113096712B。这项技术的出现，标志着存储器技术的进一步发展，也可能在未来的市场竞争中形成新的技术壁垒。

背面供电搭配全环绕栅极，英特尔打造芯片制造“新星组合”,英特尔,芯片,晶体管,栅极,半导体 ...

证券之星消息，根据天眼查APP数据显示京东方Ａ（000725）新获得一项发明专利授权，专利名为“栅极驱动单元、栅极驱动电路、栅极驱动方法和显示装置”，专利申请号为CN202080002486.6，授权日为2025年3月18日。

简单吧？但问题来了：这RGATE是放驱动器旁边当“门卫”，还是贴着MOSFET做“保镖”？位置不同，效果可是天差地别。 Part 03 栅极电阻位置分析 栅极驱动器的输出阻抗通常非常低，几欧姆级别，而MOSFET的输入阻抗由栅极电容Ciss决定，在高频下表现为低阻抗Z =1 ...

下图是一个简洁的栅极驱动电路，包含一个驱动器IC、栅极电阻RGATE、反向并联的关断二极管DOFF，以及MOSFET。在MOSFET驱动电路的设计中，栅极电阻RGATE和反向并联二极管DOFF是两个关键元件，它们共同调控MOSFET的开关行为。RGATE负责调整开通速度，而DOFF通过分流 ...

针对工业自动化与智能设备领域，极海正式发布性能优异的GHD3125R 36V三相电机专用栅极驱动器，专为提升电机控制专用技术而设计，具有高功率密度和效率，可有效提升系统性能与可靠性，广泛适用于手持设备、小功率水泵、落地扇、低压吊扇、空气净化器、循环泵 ...

英飞凌的新一代EiceDRIVER™ 1ED21x7x 650V、+/-4A 栅极驱动器 IC 与其他产品相比，提供了一种更稳健、更具性价比的解决方案。1ED21x7x是高电压、大电流和高速 栅极驱动器 ...

在逆变器等以串行方式使用MOSFET或IGBT的电路中，米勒电流 [1] 可能会在下桥臂 [2] 关断时生成栅极电压，从而导致上下桥臂短路 [3] 等故障。为预防 ...

新型光耦栅极驱动器系列具备两种模式电流输出驱动能力，可以在变频器运行期间动态调整功率开关器件的栅极驱动电流及其 ...